Schaltungsanordnung zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit von Metalloxidtransistoren bei niedrigen Temperaturen

EP2164174 Art A3 26. Mai 2010

Anmelder: OSRAM GmbH, OSRAM AG, Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2164174
Aktenzeichen: EP09168721
Anmeldetag: 26. August 2009
Veröffentlichung: 26. Mai 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H05B41/392H03K19/003H01L23/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: OSRAM GmbH
OSRAM AG
Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM

Deutsches Unternehmen für Lichttechnik mit Sitz in München, spezialisiert auf LED-Halbleiterlichtquellen, optische Halbleiter und Automobilbeleuchtung.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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