3D-R/w-Zelle mit Diode und Widerstandsschaltleiterelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2165337
Art A2
24. März 2010
Anmelder: SanDisk 3D LLC, Sandisk 3D LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2165337
- Aktenzeichen
- EP08779718
- Anmeldetag
- 23. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 24. März 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C13/00H01L27/24H01L45/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SanDisk 3D LLC
Sandisk 3D LLC - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
SanDisk 3D
SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.
308 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Tothill, John Paul
London, Großbritannien
844
Patente gesamt
28
Fachgebiete
16
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Schwerpunkte