Nichtflüchtige Speicheranordnung mit einer Lücke in dem Schichtisolierenden Tunnel und Herstellungsverfahren dafür

EP2165356 Art A1 24. März 2010

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2165356
Aktenzeichen
EP06842436
Anmeldetag
11. Dezember 2006
Veröffentlichung
24. März 2010
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/28H01L21/336H01L21/8247H01L21/84H01L27/115H01L27/12H01L29/788H01L29/792H01L29/423H01L29/51
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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