Nichtflüchtige Speicheranordnung mit einer Lücke in dem Schichtisolierenden Tunnel und Herstellungsverfahren dafür
EP2165356
Art A1
24. März 2010
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2165356
- Aktenzeichen
- EP06842436
- Anmeldetag
- 11. Dezember 2006
- Veröffentlichung
- 24. März 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/336H01L21/8247H01L21/84H01L27/115H01L27/12H01L29/788H01L29/792H01L29/423H01L29/51
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Schouten, Marcus Maria
Eindhoven, Niederlande
3.201
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Fachgebiete
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Röggla, Harald
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