Fin-Feldeffekttransistorbauelemente mit Selbstausgerichteten Source- und Drain-Regionen
EP2168151
Art A1
31. März 2010
Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2168151
- Aktenzeichen
- EP08760320
- Anmeldetag
- 2. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 31. März 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- International Business Machines Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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Vertreten von
Gascoyne, Belinda Jane
Winchester, Großbritannien
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