Verfahren zur Formung eines Geschichteten Dielektrischen Materials mit Erhöhter Zuverlässigkeit über eine Struktur mit Nah Beieinander Liegenden Leitungen

EP2168153 Art A2 31. März 2010

Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2168153
Aktenzeichen
EP08794401
Anmeldetag
30. Juni 2008
Veröffentlichung
31. März 2010
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/768
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Advanced Micro Devices

US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.

2.407 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen