Verfahren zur Formung eines Geschichteten Dielektrischen Materials mit Erhöhter Zuverlässigkeit über eine Struktur mit Nah Beieinander Liegenden Leitungen
EP2168153
Art A2
31. März 2010
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2168153
- Aktenzeichen
- EP08794401
- Anmeldetag
- 30. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 31. März 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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