Heterostruktureller Feldeffekttransistor, Integrierter Schaltkreis mit einem Heterostrukturellen Feldeffekttransistor sowie Verfahren zur Herstellung eines Heterostrukturellen Feldeffekttransistors
EP2168162
Art B1
24. Februar 2016
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2168162
- Aktenzeichen
- EP08789638
- Anmeldetag
- 16. Mai 2008
- Veröffentlichung
- 24. Februar 2016
- Erteilung
- 24. Februar 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L21/335
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
677
Patente gesamt
24
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Freescale law department - EMEA patent ops
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse