Diamanthalbleiterbauelement
EP2169709
Art B1
20. Dezember 2017
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2169709
- Aktenzeichen
- EP08790855
- Anmeldetag
- 3. Juli 2008
- Veröffentlichung
- 20. Dezember 2017
- Erteilung
- 20. Dezember 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/329H01L29/872H01L29/16H01L21/28// H01L29/47H01L29/45
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
828 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Hall, Matthew Benjamin
London, Großbritannien
1.167
Patente gesamt
31
Fachgebiete
19
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Dehns
Dehns · London