Verfahren zur Herstellung einer Elektronischen Vorrichtung, Verfahren zur Herstellung eines Epitaktischen Substrats, Iii-Nitrid-Halbleiterlement und Epitaktisches Substrat aus Galliumnitrid

EP2169713 Art A1 31. März 2010

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2169713
Aktenzeichen: EP08791293
Anmeldetag: 17. Juli 2008
Veröffentlichung: 31. März 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/66H01L33/00G01N21/64H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von