Aktualisierung Nichtflüchtiger Speicherzellen auf der Basis von Ermüdungszuständen
EP2171722
Art B1
22. August 2012
Anmelder: Micron Technology, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2171722
- Aktenzeichen
- EP08781784
- Anmeldetag
- 14. Juli 2008
- Veröffentlichung
- 22. August 2012
- Erteilung
- 22. August 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/30G11C29/00G11B20/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
4.132
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