Verfahren zur Herstellung Verbesserter Epitaktischer Materialien
EP2171747
Art B1
13. Juli 2016
Anmelder: Soitec, Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University, S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2171747
- Aktenzeichen
- EP08782402
- Anmeldetag
- 25. Juli 2008
- Veröffentlichung
- 13. Juli 2016
- Erteilung
- 13. Juli 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University
S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
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Fachgebiete
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes