Elektronische Vorrichtung und Verfahren zur Vorspannung eines Mos-Transistors in einer Integrierten Schaltung
EP2171839
Art B1
11. Juli 2012
Anmelder: ST-Ericsson SA, NXP B.V. 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2171839
- Aktenzeichen
- EP08776495
- Anmeldetag
- 25. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 11. Juli 2012
- Erteilung
- 11. Juli 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03F3/347H03F1/30
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- ST-Ericsson SA
NXP B.V. - Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
ST-Ericsson
Ehemaliges Schweizer Gemeinschaftsunternehmen von STMicroelectronics und Ericsson zur Entwicklung von Mobilfunk-Chipsätzen. Das Unternehmen wurde 2013 aufgelöst und die Geschäftsbereiche auf die beiden Muttergesellschaften aufgeteilt.
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🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Dossmann, Gérard
München, Deutschland
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Patente gesamt
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Fachgebiete
22
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Schwerpunkte