Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP2175488 Art A1 14. April 2010

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2175488
Aktenzeichen
EP08790927
Anmeldetag
7. Juli 2008
Veröffentlichung
14. April 2010
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/04H01L21/336H01L29/417H01L29/47H01L29/78H01L29/872H01L21/285
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Rohm Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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