Zusammensetzung für organischen Dünnschichttransistor, organischer Dünnschichttransistor, der unter Verwendung dieser Zusammensetzung hergestellt wurde, und Verfahren zur Herstellung des organischen Schichttransistors

EP2182012 Art A1 5. Mai 2010

Anmelder: Electronics and Telecommunications Research Institute 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2182012
Aktenzeichen: EP09167846
Anmeldetag: 13. August 2009
Veröffentlichung: 5. Mai 2010
Rechtsraum: EP
IPC: C08F8/00H01L21/00H01L51/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Electronics and Telecommunications Research Institute
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 ETRI (Electronics and Telecommunications Research Institute)

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon. Forscht in Telekommunikation, Halbleitertechnik, künstlicher Intelligenz, Rundfunktechnik und Informations- und Kommunikationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik

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