Magnetische Tunnelkontaktstruktur versehen mit einer freien Schicht mit Schrägmagnetisierung
EP2182532
Art B1
11. Januar 2017
Anmelder: Korea Institute of Science and Technology 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2182532
- Aktenzeichen
- EP09252502
- Anmeldetag
- 29. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 11. Januar 2017
- Erteilung
- 11. Januar 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01F10/32H01L43/08G11C11/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Korea Institute of Science and Technology
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Korea Institute of Science and Technology
Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Seoul, das interdisziplinäre Forschung in Naturwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialtechnologie betreibt und zahlreiche Patente aus seinen Instituten hervorbringt.
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Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
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