Magnetische Tunnelkontaktstruktur versehen mit einer freien Schicht mit Schrägmagnetisierung

EP2182532 Art B1 11. Januar 2017

Anmelder: Korea Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2182532
Aktenzeichen
EP09252502
Anmeldetag
29. Oktober 2009
Veröffentlichung
11. Januar 2017
Erteilung
11. Januar 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01F10/32H01L43/08G11C11/16
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Korea Institute of Science and Technology
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 Korea Institute of Science and Technology

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Seoul, das interdisziplinäre Forschung in Naturwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialtechnologie betreibt und zahlreiche Patente aus seinen Instituten hervorbringt.

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