Hochtemperatur-Ionenimplantation von Hemts auf Nitridbasis
EP2183768
Art B1
24. Juli 2013
Anmelder: Cree, Inc., CREE, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2183768
- Aktenzeichen
- EP08795949
- Anmeldetag
- 20. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 24. Juli 2013
- Erteilung
- 24. Juli 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/335H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Cree, Inc.
CREE, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Cree
US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.
1.232 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Brophy, David Timothy
Dublin, Irland
893
Patente gesamt
32
Fachgebiete
25
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
- Kelly, Madeleine
-
Bankes, Stephen Charles Digby
NoneBrentford