Verstärkte Struktur für einen Stapel von Schichten in einer Halbleiterkomponente

EP2183775 Art A2 12. Mai 2010

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2183775
Aktenzeichen
EP08789339
Anmeldetag
17. Juli 2008
Veröffentlichung
12. Mai 2010
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/00H01L23/485
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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