Verfahren zur Bildung von Gatestrukturen

EP2183781 Art B1 24. Oktober 2012

Anmelder: 3M Innovative Properties Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2183781
Aktenzeichen
EP08755917
Anmeldetag
20. Mai 2008
Veröffentlichung
24. Oktober 2012
Erteilung
24. Oktober 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/77H01L29/66H01L29/786H01L29/49
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
3M Innovative Properties Company
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 3M Innovative Properties

US-amerikanische Tochtergesellschaft des Mischkonzerns 3M, verwaltet Patente und geistiges Eigentum für Produkte aus Bereichen Klebetechnik, Materialwissenschaft und Konsumgüter.

17.130 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Voortmans, Gilbert J.L Diegem, Belgien
805
Patente gesamt
30
Fachgebiete
2
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Kunststoff- & Polymertechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Optik & Fototechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Verfahrens- & Trenntechnik
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