EEPROM-Speicher, der gegen die Durchbrucheffekte von MOS-Transistoren geschützt ist
EP2184741
Art B1
20. Juni 2012
Anmelder: STMicroelectronics Rousset SAS 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2184741
- Aktenzeichen
- EP09013276
- Anmeldetag
- 21. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 20. Juni 2012
- Erteilung
- 20. Juni 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/26G11C16/08G11C16/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics Rousset SAS
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
STMicroelectronics (Rousset)
Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Fachgebiete
Kanzlei
Omnipat
Éguilles, Frankreich
1998 in Aix-en-Provence gegründete Kanzlei mit Standorten in der Region PACA, in Grenoble sowie Paris, betreut Patente, Marken, Muster, Modelle und Domainnamen bei Anmeldung, Aufrechterhaltung und Überwachung.
669
Patente gesamt
2
Patentanwälte
2
Standorte