Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
EP2184783
Art B1
3. Oktober 2012
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2184783
- Aktenzeichen
- EP09174041
- Anmeldetag
- 26. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 3. Oktober 2012
- Erteilung
- 3. Oktober 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L29/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
4.187 Patente in unserer Datenbank