Bildung eines Schlitzes in einem Siliziumsubstrat
EP2186120
Art A1
19. Mai 2010
Anmelder: Hewlett-Packard Development Company, L.P. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2186120
- Aktenzeichen
- EP08797152
- Anmeldetag
- 4. August 2008
- Veröffentlichung
- 19. Mai 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B41J2/16B81C1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hewlett-Packard Development Company, L.P.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Hewlett-Packard
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Palo Alto, Kalifornien. Aktiv in Computerhardware, Druckern, Speicherlösungen sowie Unternehmens-IT und Cloud-Infrastruktur.
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Fachgebiete
Vertreten von
Pratt, Richard Wilson
London, Großbritannien
690
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29
Fachgebiete
13
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Beccarelli, Sandra Béatrice Yvonne
NoneBarcelona