Mos-Transistoren für Dünn-Soi-Integration und Herstellungsverfahren dafür

EP2186123 Art A1 19. Mai 2010

Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2186123
Aktenzeichen
EP08794585
Anmeldetag
18. Juli 2008
Veröffentlichung
19. Mai 2010
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/336H01L29/786
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Advanced Micro Devices

US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.

2.407 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen