P-Feldeffekt-Transistor und Herstellungsverfahren
EP2187432
Art B1
9. Januar 2013
Anmelder: Epcos AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2187432
- Aktenzeichen
- EP08169044
- Anmeldetag
- 13. November 2008
- Veröffentlichung
- 9. Januar 2013
- Erteilung
- 9. Januar 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/423H01L21/8252H01L27/06// H01L29/20H01L29/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Epcos AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
EPCOS
Deutscher Hersteller elektronischer Bauelemente wie Kondensatoren und Sensoren mit Sitz in München, seit 2009 Teil des japanischen TDK-Konzerns.
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