Transistor und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP2191497
Art A2
2. Juni 2010
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2191497
- Aktenzeichen
- EP08807454
- Anmeldetag
- 27. August 2008
- Veröffentlichung
- 2. Juni 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/266H01L21/336H01L21/265H01L29/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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