Zweifach-Gateoxid-Anordnungsintegration
EP2191504
Art A1
2. Juni 2010
Anmelder: North Star Innovations Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2191504
- Aktenzeichen
- EP08782025
- Anmeldetag
- 18. Juli 2008
- Veröffentlichung
- 2. Juni 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8234H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- North Star Innovations Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
Patente gesamt
24
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse