Verborgene Metall-Wortleitungen mit Geringem Widerstand für Kreuzpunktspeicher aus Materialien mit Veränderlichem Widerstand
EP2191509
Art B1
6. März 2013
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2191509
- Aktenzeichen
- EP08832147
- Anmeldetag
- 18. September 2008
- Veröffentlichung
- 6. März 2013
- Erteilung
- 6. März 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/10H01L27/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Maury, Richard Philip
St. Albans, Großbritannien
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