System und Verfahren zur Signalverarbeitung in einem Hochgeschwindigkeits-Dram
EP2193522
Art B1
21. Oktober 2015
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2193522
- Aktenzeichen
- EP08833655
- Anmeldetag
- 19. September 2008
- Veröffentlichung
- 21. Oktober 2015
- Erteilung
- 21. Oktober 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/4076G11C8/08G11C7/22G11C7/10G11C8/12G11C8/18G11C11/408
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
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