Gan-Epitaxiesubstrat, Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung des Gan-Epitaxiesubstrats und der Halbleitervorrichtung

EP2199436 Art A1 23. Juni 2010

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2199436
Aktenzeichen: EP08835691
Anmeldetag: 19. September 2008
Veröffentlichung: 23. Juni 2010
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/38C30B25/18H01L21/205H01S5/323H01S5/343

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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