Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats und Halbleitersubstrat

EP2202795 Art A1 30. Juni 2010

Anmelder: Soitec, S.O.I. TEC Silicon 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2202795
Aktenzeichen: EP08291241
Anmeldetag: 24. Dezember 2008
Veröffentlichung: 30. Juni 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/146H01L31/18H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Soitec
S.O.I. TEC Silicon
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von