Verfahren zur Herstellung Lokalisierter Halbleiter-Auf-Isolator-Strukturen in einem Bahn-Halbleiterwafer
EP2203934
Art A1
7. Juli 2010
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2203934
- Aktenzeichen
- EP08840446
- Anmeldetag
- 14. Oktober 2008
- Veröffentlichung
- 7. Juli 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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