Verfahren zur Herstellung eines Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors
EP2206155
Art B1
6. November 2013
Anmelder: Canon Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2206155
- Aktenzeichen
- EP08834644
- Anmeldetag
- 25. September 2008
- Veröffentlichung
- 6. November 2013
- Erteilung
- 6. November 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L29/66H01L29/49
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Canon Kabushiki Kaisha
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Canon
Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
Weser, Wolfgang
München, Deutschland
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