Verfahren zur Herstellung eines monokristallinen Halbleiters auf einem Substrat

EP2206808 Art B1 12. Juli 2017

Anmelder: IMEC VZW, IMEC 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2206808
Aktenzeichen: EP09178332
Anmeldetag: 8. Dezember 2009
Veröffentlichung: 12. Juli 2017
Erteilung: 12. Juli 2017
Rechtsraum: EP
IPC: C30B1/02C30B29/08

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: IMEC VZW
IMEC
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

2.629 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von