Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters mittels Raumtemperatur Bonding

EP2207195 Art A1 14. Juli 2010

Anmelder: Mitsubishi Heavy Industries Machine Tool Co., Ltd., Mitsubishi Heavy Industries, Ltd., National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2207195
Aktenzeichen: EP08846882
Anmeldetag: 14. Oktober 2008
Veröffentlichung: 14. Juli 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02B23K20/00H01L23/02H01L27/14H01L31/0203C03C27/06H01L23/00H01L21/20// H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Mitsubishi Heavy Industries Machine Tool Co., Ltd.
Mitsubishi Heavy Industries, Ltd.
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Heavy Industries

Japanischer Industriekonzern, der in Bereichen wie Energieerzeugung, Luft- und Raumfahrt, Schiffbau, Maschinenbau und Klimatechnik tätig ist und ein breites Spektrum an Industrieanlagen und -maschinen herstellt.

5.548 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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