Verfahren zur Bildung einer Siliziumoxidschicht über einem Substrat
EP2208222
Art A1
21. Juli 2010
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2208222
- Aktenzeichen
- EP08841549
- Anmeldetag
- 20. Oktober 2008
- Veröffentlichung
- 21. Juli 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/31C09D183/14C09D183/05C23C16/04C23C16/40C23C16/452C23C16/56H01L21/312H01L21/316H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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