Gate-gesteuerte Dünnfilmdiode, Verfahren zu deren Herstellung und Verfahren zu deren Anwendung

EP2211375 Art B1 24. April 2019

Anmelder: Palo Alto Research Center Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2211375
Aktenzeichen: EP10151256
Anmeldetag: 21. Januar 2010
Veröffentlichung: 24. April 2019
Erteilung: 24. April 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/33H01L29/739// H01L29/04H01L29/16H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Palo Alto Research Center Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Palo Alto Research Center

US-amerikanisches Forschungsinstitut in Palo Alto, bekannt als PARC, das für Xerox und externe Auftraggeber Grundlagen- und angewandte Forschung in Informatik, Elektronik und Materialwissenschaften betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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