Iii-Nitridelektronikbauelement und Iii-Nitridhalbleiterepitaxialsubstrat

EP2211376 Art A1 28. Juli 2010

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2211376
Aktenzeichen: EP08845789
Anmeldetag: 28. Oktober 2008
Veröffentlichung: 28. Juli 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L29/872H01L29/207H01L29/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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