Schottky-Diode für eine Hochleistungsanwendung und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP2215660
Art A1
11. August 2010
Anmelder: THALES, Thales 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2215660
- Aktenzeichen
- EP08857602
- Anmeldetag
- 28. November 2008
- Veröffentlichung
- 11. August 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/872
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- THALES
Thales - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Thales
Französischer Technologiekonzern mit Sitz in Paris, aktiv in Luft- und Raumfahrt, Verteidigungstechnik, Sicherheitstechnologie sowie Bahn- und Kommunikationssystemen für zivile und militärische Anwendungen.
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Vertreten von
Esselin, Sophie
Arcueil, Frankreich
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