Verfahren zur Rückgewinnung einer Oberfläche eines Substrats

EP2219208 Art B1 29. August 2012

Anmelder: Soitec, S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2219208
Aktenzeichen: EP09290104
Anmeldetag: 12. Februar 2009
Veröffentlichung: 29. August 2012
Erteilung: 29. August 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/304H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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