Nitridhalbleiter und Nitridhalbleiter-Kristallwachstumsverfahren

EP2221855 Art A1 25. August 2010

Anmelder: Mitsubishi Chemical Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2221855
Aktenzeichen: EP08851532
Anmeldetag: 20. November 2008
Veröffentlichung: 25. August 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/205C23C16/34C30B29/38H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Mitsubishi Chemical Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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