Nitridhalbleiter, Nitridhalbleiter-Kristallwachstumsverfahren und Nitridhalbleiter-Leuchtelement
EP2221856
Art B1
9. September 2020
Anmelder: Mitsubishi Chemical Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2221856
- Aktenzeichen
- EP08852819
- Anmeldetag
- 20. November 2008
- Veröffentlichung
- 9. September 2020
- Erteilung
- 9. September 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205H01L33/00C30B29/40C30B25/02// H01L33/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Chemical Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.
2.926 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München