Hochreines Lanthan, Sputtering-Target mit dem Hochreinen Lanthan sowie Hauptsächlich aus dem Hochreinen Lanthan Bestehender Metall-Gate-Film
Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corporation, Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2224024
- Aktenzeichen
- EP08866745
- Anmeldetag
- 31. Oktober 2008
- Veröffentlichung
- 1. September 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C22B59/00C22B9/22C22C28/00C23C14/34H01L21/283H01L21/285H01L29/423H01L29/49H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- JX Nippon Mining & Metals Corporation
Nippon Mining & Metals Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.
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Nippon Mining & Metals war ein japanisches Unternehmen für Metallverarbeitung und Halbleitermaterialien, heute Teil von JX Nippon Mining & Metals. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Metallurgie und Oberflächentechnik sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Fertigungs- und Chemietechnik. Die Anmeldungen stammen überwiegend aus den Jahren 2000 bis 2010 und betreffen unter anderem Kupferfolienverbundstoffe.
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