Hochreines Lanthan, Sputtering-Target mit dem Hochreinen Lanthan sowie Hauptsächlich aus dem Hochreinen Lanthan Bestehender Metall-Gate-Film
EP2224024
Art A1
1. September 2010
Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corporation, Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2224024
- Aktenzeichen
- EP08866745
- Anmeldetag
- 31. Oktober 2008
- Veröffentlichung
- 1. September 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C22B59/00C22B9/22C22C28/00C23C14/34H01L21/283H01L21/285H01L29/423H01L29/49H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- JX Nippon Mining & Metals Corporation
Nippon Mining & Metals Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JX Nippon Mining & Metals
JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.
1.069 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Hoarton, Lloyd Douglas Charles
München, Deutschland
1.651
Patente gesamt
34
Fachgebiete
27
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Schwerpunkte