Verfahren zum Ätzen von 3-D-Strukturen in ein Halbleitersubstrat, einschliesslich der Oberflächenbehandlung
EP2224469
Art A3
25. März 2015
Anmelder: IMEC 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2224469
- Aktenzeichen
- EP10154439
- Anmeldetag
- 23. Februar 2010
- Veröffentlichung
- 25. März 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/304H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IMEC
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
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