Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP2226835 Art A1 8. September 2010

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2226835
Aktenzeichen: EP08867770
Anmeldetag: 25. November 2008
Veröffentlichung: 8. September 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/336H01L21/02H01L27/12H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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