Optische Halbleitervorrichtung auf Galliumnitridbasis, Verfahren zur Herstellung der optischen Halbleitervorrichtung auf Galliumnitridbasis und Epitaxialwafer

EP2226858 Art A3 7. Mai 2014

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2226858
Aktenzeichen: EP10155194
Anmeldetag: 2. März 2010
Veröffentlichung: 7. Mai 2014
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/16H01L33/32// H01L21/20H01S5/32H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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