Vorrichtung zur Zuführung von Präkursorgasen an ein Substrat für Epitaktisches Wachstum
EP2227576
Art B1
3. Juni 2015
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2227576
- Aktenzeichen
- EP08865457
- Anmeldetag
- 5. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 3. Juni 2015
- Erteilung
- 3. Juni 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/455C30B25/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes