Verfahren zur Herstellung von Gereinigten, für Epitaxiales Wachstum Geeigneten Substraten
EP2227821
Art A1
15. September 2010
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2227821
- Aktenzeichen
- EP08870039
- Anmeldetag
- 18. November 2008
- Veröffentlichung
- 15. September 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/306
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
323 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Hart-Davis, Jason
Paris, Frankreich
1.276
Patente gesamt
31
Fachgebiete
23
Anmelder-Länder
Schwerpunkte