Verfahren für Lokalisierte Heteroepitaxie auf einem Dielektrikum, im Besonderen von Germanium auf Oxidiertem Silicium, sowie Verfahren zur Herstellung einer Produktionsbasis einer Homogenen oder Heterogenen Integrierten Schaltung
EP2229689
Art B1
16. November 2016
Anmelder: Université Paris-Sud, Centre National de la Recherche Scientifique, Universite Paris-Sud 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2229689
- Aktenzeichen
- EP08863510
- Anmeldetag
- 15. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 16. November 2016
- Erteilung
- 16. November 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Université Paris-Sud
Centre National de la Recherche Scientifique
Universite Paris-Sud - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
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