Mehrschichtiges Substrat mit Gan-Schicht, Verfahren zur Hestellung des Mehrschichtigen Substrats mit Gan-Schicht und Vorrichtung
EP2230334
Art A1
22. September 2010
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2230334
- Aktenzeichen
- EP08859773
- Anmeldetag
- 11. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 22. September 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/08H01L21/203H01L21/205H01L33/00C30B25/18C30B23/02C30B33/02C30B29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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