Herstellungsverfahren einer Verbundstruktur mit einer stabilen Oxidbindungsschicht
EP2232545
Art B1
2. Mai 2012
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2232545
- Aktenzeichen
- EP08871508
- Anmeldetag
- 29. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 2. Mai 2012
- Erteilung
- 2. Mai 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Desormiere, Pierre-Louis
Paris, Frankreich
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