Herstellungsverfahren von epitaxial gewachsenen Schichten auf einer Verbundstruktur
EP2232546
Art B1
31. August 2011
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2232546
- Aktenzeichen
- EP09704183
- Anmeldetag
- 6. Januar 2009
- Veröffentlichung
- 31. August 2011
- Erteilung
- 31. August 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
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Fachgebiete
Vertreten von
Desormiere, Pierre-Louis
Paris, Frankreich
504
Patente gesamt
29
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte