3-D- und 3-D-Schottky-Diode für Kreuzungspunktspeicher aus Materialien mit Veränderlichem Widerstand und Herstellungsverfahren dafür
EP2232555
Art B1
8. Mai 2013
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2232555
- Aktenzeichen
- EP09701855
- Anmeldetag
- 16. Januar 2009
- Veröffentlichung
- 8. Mai 2013
- Erteilung
- 8. Mai 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/872H01L27/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
5.073 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Maury, Richard Philip
St. Albans, Großbritannien
1.676
Patente gesamt
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Weitere Vertreter
-
Collins, John David
NoneLondon